Forskjellen mellom IGBT og GTO

IGBT vs GTO

GTO (Gate Turn-Off Thyristor) og IGBT (Isolert Gate Bipolar Transistor) er to typer halvleder enheter med tre terminaler. Begge brukes til å kontrollere strøm og for bytteformål. Begge enhetene har en kontrollterminal kalt gate, men har forskjellige operatører.

GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

GTO er laget av fire P-type og N-type halvlederlag, og enhetens struktur er lite forskjellig i forhold til en normal tyristor. I analyse betraktes GTO også som koblet par transistorer (en PNP og andre i NPN-konfigurasjon), det samme som for normale tyristorer. Tre terminaler av GTO kalles 'anode', 'katode' og 'gate'.

I drift virker tyristor som utfører når en puls er forsynt til porten. Den har tre driftsformer som kalles 'revers blokkering modus', 'fremover blokkeringsmodus' og 'fremadrettet modus'. Når porten utløses med puls, går tyristoren til "fremadrettet modus" og fortsetter å føre til fremstrømmen blir mindre enn terskelen "holdestrøm".

I tillegg til egenskapene hos normale tyristorer, er "off" -tilstanden til GTO også kontrollerbar gjennom negative impulser. I normale tyristorer skjer "av" -funksjonen automatisk.

GTO er kraftenheter, og brukes mest for vekslende applikasjoner.

Isolert Gate Bipolar Transistor (IGBT)

IGBT er en halvleder enhet med tre terminaler kjent som 'Emitter', 'Collector' og 'Gate'. Det er en type transistor som kan håndtere en høyere mengde strøm og har en høyere byttehastighet som gjør den høy effektiv. IGBT har blitt introdusert til markedet i 1980-årene.

IGBT er har de kombinerte funksjonene til både MOSFET og bipolar veikryss transistor (BJT). Det er portdrevet som MOSFET og har nåværende spenningsegenskaper som BJTs. Derfor har den fordelene med både høy strømhåndtering og enkel kontroll. IGBT-moduler (består av en rekke enheter) håndterer kilowatt av strøm.

Hva er forskjellen mellom IGBT og GTO?

1. Tre terminaler av IGBT er kjent som emitter, samler og gate, mens GTO har terminaler kjent som anode, katode og port.

2. GTO-porten trenger bare en puls for bytte, mens IGBT trenger kontinuerlig tilførsel av gate spenning.

3. IGBT er en type transistor og GTO er en type tyristor, som kan betraktes som et tett koblet par transistorer i analyse.

4. IGBT har bare ett PN-kryss, og GTO har tre av dem

5. Begge enhetene brukes i kraftige applikasjoner.

6. GTO trenger eksterne enheter for å kontrollere avslag og puls, mens IGBT ikke trenger.

Elektrisk