Forskjellen mellom GTO og SCR

GTO vs SCR

Både SCR (Silicon Controlled Rectifier) ​​og GTO (Gate Turn-Off Thyristor) er to typer thyristorer laget av fire halvlederlag. Begge enhetene har tre terminaler kalt anode, katode og port, hvor en puls på port brukes til å kontrollere strømmen som strømmer gjennom enheten.

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

SCR er en tyristor og mye brukt i gjeldende rettelser. SCR er laget av fire alternerende halvlederlag (i form av P-N-P-N), og består derfor av tre PN-kryss. I analysen anses dette som et tett koblet par BJTs (en PNP og andre i NPN-konfigurasjon). De ytterste P og N type halvleder lagene kalles henholdsvis anode og katode. Elektrode koblet til indre P-type halvlederlag er kjent som "gate".

I drift virker SCR å utføre når en puls er tilført til porten. Den opererer i enten 'on' eller 'off' tilstand. Når porten utløses med puls, går SCR til "on" -tilstanden og fortsetter å føre til fremstrømmen blir mindre enn en terskel kjent som "holdestrøm".

SCR er en kraftenhet og de fleste ganger brukes den i applikasjoner der høye strømmer og spenninger er involvert. Den mest brukte SCR-applikasjonen er å kontrollere (rette) vekslende strømmer.

GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

GTO er også en type tyristor laget av fire P-type og N-type halvlederlag, men enhetsstrukturen er litt forskjellig i forhold til SCR. Tre terminaler av GTO kalles også 'anode', 'katode' og 'gate'.

I drift virker GTO som utfører når en puls er forsynt til porten. Når porten utløses med positiv puls, går GTO til ledende modus som ligner på SCR.

I tillegg til funksjonene i SCR, er "off" -tilstanden til GTO også kontrollerbar gjennom en negativ puls. I SCR skjer ikke "av" -funksjonen før fremoverstrømmen er mindre enn terskelholdestrømmen.

GTO er også kraftenheter og det mest brukte i vekselstrøm applikasjoner.