Forskjellen mellom IGBT og Thyristor

IGBT vs Thyristor

Thyristor og IGBT (Isolert Gate Bipolar Transistor) er to typer halvleder enheter med tre terminaler, og begge brukes til å kontrollere strøm. Begge enhetene har en kontrollterminal kalt gate, men har forskjellige operatører.

Tyristorer

Thyristor er laget av fire alternerende halvlederlag (i form av P-N-P-N), består derfor av tre PN-kryss. I analyse betraktes dette som et tett koblet par transistorer (en PNP og andre i NPN-konfigurasjon). De ytterste P og N type halvleder lagene kalles henholdsvis anode og katode. Elektrode koblet til indre P-type halvlederlag er kjent som "gate".

I drift virker tyristor som utfører når en puls er forsynt til porten. Den har tre driftsformer som kalles 'revers blokkering modus', 'fremover blokkeringsmodus' og 'fremadrettet modus'. Når porten utløses med puls, går tyristoren til "fremadrettet modus" og fortsetter å føre til fremstrømmen blir mindre enn terskelen "holdestrøm".

Thyristorer er kraftenheter og de fleste ganger brukes de i applikasjoner der høye strømmer og spenninger er involvert. Den mest brukte tyristorapplikasjonen styrer vekslende strømmer.

Isolert Gate Bipolar Transistor (IGBT)

IGBT er en halvleder enhet med tre terminaler kjent som 'Emitter', 'Collector' og 'Gate'. Det er en type transistor, som kan håndtere en høyere mengde strøm og har en høyere bryterhastighet som gjør den høy effektiv. IGBT har blitt introdusert til markedet i 1980-årene.

IGBT er har de kombinerte funksjonene til både MOSFET og bipolar veikryss transistor (BJT). Det er portdrevet som MOSFET og har nåværende spenningsegenskaper som BJTs. Derfor har den fordelene med både høy strømhåndtering og enkel kontroll. IGBT-moduler (består av en rekke enheter) håndterer kilowatt av strøm.